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• 高產率以及低CoO
• 良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現性
• 干法刻蝕
• Damage-Free(遠端等離子、低溫工藝)
• 自對準接觸電阻僅為濕法的1/2
• 靈活的裝置布局
• 高維護性(方便的側面維護)
• 300mm晶圓批處理:50枚/批
• 自對準接觸形成工藝前處理
• 電容工藝前處理
• 晶膜生長前處理
• Co/Ni自對準多晶硅化物的前處理