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• 和傳統的工藝溫度相比，每個unit的驅動系統可以在更高的溫度下運行、開發真空搬送機械手來實現搬送系統的穩定性。
• 通過改善反應室的內部結構、氣體供給系統，達到長期穩定的TEOS(SiO2)膜速率。
• 通過加熱反應氣體的通道，在排除設備中的氣體排出、抑制配管Trap未使用時的配管副生成物的粘附、可以縮短保養時間。
• 可以輕松的完成單獨基板管理，如成膜條件。
• 低溫P-Si、α-Si TFT
