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• 次世代晶圓工藝必須的 1 x 1016atoms/cm2以上離子注入剝離工藝、PI去除工藝中，可實現低顆粒工藝。
• 添加F系氣體工藝適合的腔體構成，可對應低顆粒需求。因此，從普通PR到離子注入剝離、有機膜剝離（PI，DFR等）、氧化膜刻蝕等
非常廣泛的工藝均可對應。
• 采用簡單的設備構成可同時實現“卓越的維修性·信賴性”。
• 有彈性的腔體構成選擇（μ波、RIE、μ波＋RIE），可實現豐富的搬送路經。
• 僅設定工藝菜單即可切換晶圓尺寸，晶圓尺寸容易實現。
• 前道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
• 添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)
• 芯片級封裝的BUMP工藝
• CCD顏色過濾膜的制造工藝
